金融界2024年11月8日音讯，国家知识产权局信息数据显现，福建华佳彩有限公司获得一项名为“一种改进曝光机光刻精度的掩膜版”的专利，授权公告号 CN 221960404 U，请求日期为2024年1月。

  专利摘要显现，本实用新型供给了一种改进曝光机光刻精度的掩膜版，所述光刻掩膜版由基板、镀层、薄膜和结构构成， 所述结构围设于所述基板的下方，所述镀层和薄膜坐落所述结构内部，且顺次设置于所述基板的下方，所述镀层由若干遮光区和透光区顺次替换摆放构成，所述遮光区的宽度为L,所述透光区的宽度为D，光刻后构成的金属线宽为l,金属线距为d,其间L‑l＝‑0.6um，D‑d＝0.6um。本实用新型选用Mask(掩膜版规划尺度)‑ADI(光刻工艺后线um的弱曝规划方法，能确保有足够大的space来提高光刻精度，简略便利，成本低。

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